| 发明名称 | 硅基超高压电阻器 | ||
| 摘要 | 一种集成电路(IC)包括导电材料的第一层(310)，绝缘材料的第二层(302)，其中该第二层具有与第一层相邻布置的第一侧面和第二侧面，以及与第二层的第二侧面相邻布置的衬底(304)。第一阱部(312)被布置在衬底之中并且与第二层的第二侧面相邻。衬底和第一阱部具有相对的掺杂。第一层(310)构成电阻器。阱部的存在允许比绝缘材料的击穿电压更高的电压得以被施加于该电阻器。 | ||
| 申请公布号 | CN103718294A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201280036481.0 | 申请日期 | 2012.05.11 |
| 申请人 | 马维尔国际贸易有限公司 | 发明人 | S·苏塔德加;R·克里施纳穆尔蒂;徐兆扬 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张臻贤 |
| 主权项 | 一种集成电路(IC)，包括：导电材料的第一层；绝缘材料的第二层，其中所述第二层具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第一层相邻布置；衬底，与所述第二层的所述第二侧面相邻布置；以及布置在所述衬底中的第一阱部，其中所述第一阱部与所述第二层的所述第二侧面相邻，并且其中所述衬底和所述第一阱部具有相对的掺杂。 | ||
| 地址 | 巴巴多斯圣米加勒 | ||