发明名称 一种等离子加热装置
摘要 本实用新型提供了一种等离子加热装置,属于机械技术领域。它解决了现有的碳化硅生产制备的碳化硅杂质含量较高,纯度较低的问题。本等离子加热装置,包括内部为空腔的反应炉和至少一个等离子枪,等离子枪的等离子体喷射口位于反应炉内,等离子体喷射口处能产生等离子火焰,反应炉内还设置有出料口朝向等离子体喷射口的原料供给通道,原料供给通道能将需要加热反应的原料输送到等离子火焰外侧。本等离子加热装置具有制得的碳化硅的纯度高的优点。
申请公布号 CN203529942U 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201320630429.X 申请日期 2013.10.12
申请人 台州市一能科技有限公司;星野政宏 发明人 星野政宏
分类号 C01B31/36(2006.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 台州市方圆专利事务所 33107 代理人 蔡正保;朱新颖
主权项 一种等离子加热装置,包括内部为空腔(11)的反应炉(1)和至少一个等离子枪(2),其特征在于,所述等离子枪(2)的等离子体喷射口位于反应炉(1)内,所述等离子体喷射口处能产生等离子火焰,所述反应炉(1)内还设置有出料口朝向等离子体喷射口的原料供给通道(3),上述的原料供给通道(3)能将需要加热反应的原料输送到等离子火焰外侧。
地址 318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧