发明名称 荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置
摘要 本发明提供荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置。所述荧光粘接片具备含有荧光体的荧光体层和层叠于荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层。粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成。荧光粘接片的剥离强度的百分率为30%以上。
申请公布号 CN103715335A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201310451606.2 申请日期 2013.09.27
申请人 日东电工株式会社 发明人 藤井宏中;白川真广;伊藤久贵
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种荧光粘接片,其特征在于,其具备:含有荧光体的荧光体层,和层叠于所述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层;所述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成,所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上;剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS75℃/25℃气氛下的剥离强度PS25℃]×10075℃气氛下的剥离强度PS75℃:将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层,其后,在温度75℃,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度;25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层,其后,在温度25℃,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。
地址 日本大阪府