一种磁性纳米阵列的制备及转移方法

摘要

本发明提供了一种磁性纳米阵列的制备及向金属衬底转移的方法。首先通过二次阳极氧化法制备未贯通的氧化铝多孔模板，然后在模板的孔洞中沉积磁性纳米材料，并通过控制沉积纳米线长度使模板孔洞保留一定未填充深度，随之在模板表面沉积金属，形成具有纳米孔洞的连续金属膜，在一定温度和压力作用下同金属衬底进行热压键合，最后溶解模板，实现磁性纳米线向金属衬底的转移。本发明工艺简单，操作方便，与微电子加工工艺兼容，尤其是利用形成的多孔纳米金属膜层的纳米尺度效应，实现了低温键合，在基于微机电系统的磁性传感器制造领域具有广泛应用前景。

主权项

一种磁性纳米阵列的制备及转移方法，其特征在于在未完全贯通的氧化铝多孔模板上沉积磁性材料，形成磁性纳米阵列，然后在未完全填充的模板上沉积金属薄膜，利用形成的连续多孔纳米金属层与金属衬底进行低温热压键合，最后溶解模板，实现纳米阵列转移。