发明名称 一种集成的硅电容麦克风
摘要 本实用新型公开一种集成的硅电容麦克风,包括:具有至少1个进音孔的外壳,具有1个开孔的基板,2个或4个无缝物理连接的相互匹配的MEMS敏感元件、集成电路和声腔,声腔由2个或4个MEMS敏感元件和基板共同构成,具体为通过基板上的开孔将2个或4个MEMS敏感元件的音腔对称地相连通,并通过共用布置在外壳上、相对各MEMS敏感元件位置同一的进音路径形成的对称声腔,使得声波输入直到通过各MEMS敏感元件转变为电信号的传声路径对于硅麦克风中各MEMS敏感元件的完全对称,其中进音路径为从外壳上的进音孔、声腔到各MEMS敏感元件的振膜形成的路径;集成电路用于对声波经传声路径传送至各MEMS敏感元件转化为的电信号进行缓冲/放大和输出。
申请公布号 CN203537561U 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201320678044.0 申请日期 2013.10.30
申请人 北京卓锐微技术有限公司 发明人 万蔡辛;杨少军
分类号 H04R19/04(2006.01)I 主分类号 H04R19/04(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨;许淑芳
主权项 一种集成的硅电容麦克风,其特征在于,包括:具有至少1个进音孔的外壳,具有1个开孔的基板,2个或4个无缝物理连接的相互匹配的MEMS敏感元件、集成电路和声腔,其中:所述声腔由所述2个或4个MEMS敏感元件和所述基板共同构成,具体为通过所述基板上的开孔将所述2个或4个MEMS敏感元件的音腔对称地相连通,并通过共用布置在所述外壳上、相对各所述MEMS敏感元件位置同一的进音路径形成的对称声腔,其中所述进音路径为从所述外壳上的进音孔、所述声腔到各所述MEMS敏感元件的振膜形成的路径;所述集成电路与各所述MEMS敏感元件分别相连接。
地址 100191 北京市海淀区知春路23号量子银座1002室
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