发明名称 |
直接覆铜陶瓷基板的热压方法 |
摘要 |
本发明直接覆铜陶瓷基板的热压方法,包括如下步骤:第一步,将铜覆在陶瓷基材的上、下两个面上并进行烧结;第二步,将烧结得到的DCB基板置于热压模具内,在保护气氛或真空中,通过热压模具对DCB基板进行热压。本发明直接覆铜陶瓷基板的热压方法通过对烧结之后的DCB基板进行再处理,通过在一定温度下施加不同的压力,有效解决由DBC基板翘曲问题,翘曲率将达到0.4%以下。 |
申请公布号 |
CN103715101A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310718944.8 |
申请日期 |
2013.12.23 |
申请人 |
上海申和热磁电子有限公司 |
发明人 |
李德善;贺贤汉;俞晓东 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;B32B37/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
上海顺华专利代理有限责任公司 31203 |
代理人 |
沈履君 |
主权项 |
直接覆铜陶瓷基板的热压方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步,将铜覆在陶瓷基材的上、下两个面上并进行烧结;第二步,将烧结得到的DCB基板置于热压模具内,在保护气氛或真空中,通过热压模具对DCB基板进行热压。 |
地址 |
200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号 |