发明名称 直接覆铜陶瓷基板的热压方法
摘要 本发明直接覆铜陶瓷基板的热压方法,包括如下步骤:第一步,将铜覆在陶瓷基材的上、下两个面上并进行烧结;第二步,将烧结得到的DCB基板置于热压模具内,在保护气氛或真空中,通过热压模具对DCB基板进行热压。本发明直接覆铜陶瓷基板的热压方法通过对烧结之后的DCB基板进行再处理,通过在一定温度下施加不同的压力,有效解决由DBC基板翘曲问题,翘曲率将达到0.4%以下。
申请公布号 CN103715101A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201310718944.8 申请日期 2013.12.23
申请人 上海申和热磁电子有限公司 发明人 李德善;贺贤汉;俞晓东
分类号 H01L21/48(2006.01)I;B32B37/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人 沈履君
主权项 直接覆铜陶瓷基板的热压方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步,将铜覆在陶瓷基材的上、下两个面上并进行烧结;第二步,将烧结得到的DCB基板置于热压模具内,在保护气氛或真空中,通过热压模具对DCB基板进行热压。
地址 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号