| 发明名称 | 钙钛矿基薄膜太阳电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池。所述钙钛矿基薄膜太阳电池包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的多孔绝缘层；在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。本实用新型提供了碳对电极在钙钛矿基薄膜太阳电池中的应用。与现有的钙钛矿基薄膜太阳电池相比，本实用新型采用碳材料替代昂贵的贵金属材料作为对电极，成本大大降低。并且本实用新型能够采用简单、快速、可规模化生产的丝网印刷法制备，进一步节约了成本，有利于实现钙钛矿基薄膜太阳电池的工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN203536476U | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201320614230.8 | 申请日期 | 2013.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红 |
| 分类号 | H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;薛峰 |
| 主权项 | 一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的多孔绝缘层；在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||