| 摘要 |
MOS-Halbleiteranordnung mit einem Halbleitersubstrat, einem Halbleiterelement (4) in MOS-Ausführung, das einen Steuerabschnitt mit MOS-Struktur umfaßt, einem ersten Ausgangsanschluß (S) und einem zweiten Ausgangsanschluß (D), mit denen zwei Ausgänge des Halbleiterelements (4) verbunden sind, einem Steuereingangsanschluß (G), mit dem ein Steuereingang (g) des Halbleiterelements (4) verbunden ist, einer internen Steuerschaltung (9), die zwischen den Steuereingangsanschluß (G) und den Steuereingang (g) des Halbleiterelements (4) geschaltet ist, und einer Schutzeinrichtung, die zwischen den Steuereingangsanschluß (G) und den ersten Ausgangsanschluß (S) geschaltet ist, zum Schutz gegen Überspannungen dient und einen ersten Zweig, der eine erste Zenerdiode (Z1p) enthält, und einen zweiten Zweig umfaßt, in dem ein erster Widerstand (R1; R2) und eine zweite Zenerdiode (Z5p; Z6p) in Reihe geschaltet sind, derart, daß ein zwischen dem ersten Widerstand (R1; R2) und der zweiten Zenerdiode (Z5p; Z6p) vorhandener Verbindungspunkt an den Steuereingang (g) des Halbleiterelements (4) angeschlossen ist, wobei der erste Zweig und der zweite Zweig parallel zueinander geschaltet sind und der erste Widerstand (R1; R2) auf einem isolierenden Film auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, ... |
