| 摘要 |
Eine nicht-flüchtige Speichervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Vorrichtung beinhaltet ein Substrat mit einer Zellenregion und einer peripheren Region, eine über der Substrat in der peripheren Region gebildete Gate-Struktur, eine über der Gate-Struktur in der peripheren Region gebildete vielschichtige Struktur, wobei die vielschichtige Struktur zwischenschichtige Isolierschichten und Materialschichten für Opferschichten aufweist, und eine zwischen der Gate-Struktur und der vielschichtigen Struktur in der peripheren Region gebildete Abdeckschicht zum Bedecken des Substrats, wobei die Abdeckschicht so ausgebildet ist, dass sie die Diffusion von Störstellen aus den Materialschichten für die Opferschichten in das Substrat in der peripheren Region verhindert. |
