发明名称 一种触摸屏用ITO靶材的生产方法
摘要 一种触摸屏用ITO靶材的生产方法,涉及一种ITO靶材的生产方法,以4N级(99.99%)铟锭和分析纯级结晶四氯化锡为原料,按配比计算出需要的用量,通过化学共沉淀、脱水、煅烧及球磨的现有工序制备In2O3:SnO2=97:3(wt%)、纯度≥99.99%、粒度为0.6~1.0µm的ITO粉;再对ITO粉经冷压成型为冷压坯;再将冷压坯装在石墨模具内置于真空-气氛热压烧结炉中烧结,得到ITO靶材,本发明制备的ITO靶材完整致密无内部裂纹,本发明方法简单,便于推广使用。
申请公布号 CN103693945A 申请公布日期 2014.04.02
申请号 CN201210366657.0 申请日期 2012.09.28
申请人 柳州华锡铟材料有限责任公司 发明人 阮敦邵;熊爱臣;赵明勇;徐灿辉
分类号 C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/01(2006.01)I
代理机构 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 代理人 周小芹
主权项 一种触摸屏用ITO靶材的生产方法,其特征在于:包括下述步骤:A.制备ITO粉:以铟锭和四氯化锡为原料,通过化学共沉淀、脱水、煅烧及球磨的工序制备得到重量百分比In2O3:SnO2=97:3 、纯度≥99.99%、粒度为0.6~1.0µm 的ITO粉;其中,所述的铟锭为4N级铟锭,所述的四氯化锡为分析纯级结晶四氯化锡;B.制备冷压坯:将上述步骤A中所得的ITO粉经44~50MPa压力下冷压成型为冷压坯;C.制备ITO靶材:将上述步骤B中所得到的冷压坯装在石墨模具内置于真空‑气氛热压烧结炉中烧结,制得ITO靶材,其中,烧结时真空‑气氛热压烧结炉内的真空度为1.0×10‑1Pa以上。
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