用于RFID标签芯片的解调电路

摘要

本实用新型公开了一种用于RFID标签芯片的解调电路，包括第一二极管、第二二极管、第一电容～第三电容、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、比较器和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻和第二电容构成包络检波电路，第二电阻和第三电容构成均值电路，第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管和第三N沟道绝缘栅双极晶体管构成反相器整形电路。本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，使用高动态范围的比较器。该解调电路的解调动态范围大，能处理大范围内变化的信号。该解调电路的功耗小、稳定性好、灵敏度高。

主权项

一种用于RFID标签芯片的解调电路，其特征在于：包括第一二极管、第二二极管、第一电容～第三电容、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、比较器和直流电源，所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极连接并作为所述解调电路的信号输入端，所述第一二极管的负极同时与所述第一电容的第一端、所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二电阻的第一端连接，所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的基极同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第一电阻的第一端、所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第二二极管的正极同时与所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端、所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述比较器的负极电源输入端、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述直流电源的负极连接，所述第二电容的第二端与所述比较器的反相输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第三电容的第二端、所述比较器的正相输入端连接，所述比较器的输出端同时与所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述直流电源的正极同时与所述比较器的正极电源输入端、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接并作为所述解调电路的信号输出端。