| 发明名称 | MOM电容及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOM电容及其制作方法。所述MOM电容包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的介质层；多个层叠设置的第一电极，位于所述介质层中，同一层中的第一电极呈指状结构；多个层叠设置的第二电极，位于所述介质层中，同一层中的第二电极呈指状结构；同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。本发明可以进一步提高MOM电容的电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN103700645A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201410006902.6 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张海福 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOM电容，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的介质层；多个层叠设置的第一电极，位于所述介质层中，同一层中的第一电极呈指状结构；多个层叠设置的第二电极，位于所述介质层中，同一层中的第二电极呈指状结构；同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||