| 发明名称 | 操作磁随机存取存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。 | ||
| 申请公布号 | CN101625890B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN200910158688.5 | 申请日期 | 2009.07.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金洸奭;徐顺爱;金起园;黄仁俊;申炯淳;李昇妍;李丞晙 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;罗延红 |
| 主权项 | 一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法，所述方法包括如下步骤：通过字线将第一栅极电压施加到开关结构的栅极，以通过位线向磁阻结构提供沿第一方向的电流，从而将第一数据写入到磁阻结构；通过字线将第二栅极电压施加到开关结构的栅极，以通过位线向磁阻结构提供沿第二方向的电流，从而将第二数据写入到磁阻结构，第一栅极电压处于沿第一方向的电流与沿第二方向的电流相等的电平，所述沿第二方向的电流用来将第二数据写入到磁阻结构中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||