| 发明名称 | MRAM场的干扰检测和恢复 | ||
| 摘要 | 提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。 | ||
| 申请公布号 | CN103703447A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201280034545.3 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | 艾沃思宾技术公司 | 发明人 | T·安德鲁;S·M·阿拉姆;B·恩格尔;B·巴切尔 |
| 分类号 | G06F11/00(2006.01)I | 主分类号 | G06F11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 宋岩 |
| 主权项 | 一种方法，包括：双态切换ECC字两次；读取所述ECC字；以及如果读取所述ECC字指示出双位错误，则指示已经发生篡改。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||