| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有NMOS晶体管；形成张应力层，覆盖所述NMOS晶体管；在所述NMOS晶体管的栅电极上方的张应力层中形成开口；对所述半导体基底进行退火；去除所述张应力层。本发明能够减弱不同沟道宽度的NMOS晶体管受应力记忆技术影响的差别，有利于改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102479715B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201010565095.3 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;沈满华;孙武 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底上形成有NMOS晶体管； 形成张应力层，覆盖所述NMOS晶体管； 在所述NMOS晶体管的栅电极上方的张应力层中形成开口； 对所述半导体基底进行退火； 去除所述张应力层； 其中，所述开口沿所述NMOS晶体管的沟道宽度方向的长度与所述NMOS晶体管的沟道宽度成反比，或者，所述开口的深度与所述NMOS晶体管的沟道宽度成反比，即 沟道宽度越小，则开口的体积越大。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||