| 发明名称 | 发光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在生长用基板上形成具有活性层的半导体元件层的工序；将支撑基板接合到所述半导体元件层的工序；和通过去除所述生长用基板，使所述半导体元件层的所述生长用基板侧的面露出而形成光射出面的工序，还包括按照如下方式加工所述半导体元件层的工序：从所述支撑基板侧向着所述光射出面侧以成为前端变细的形状的方式相对于所述光射出面具有倾斜的侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN101834250B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201010159427.8 | 申请日期 | 2005.02.21 |
| 申请人 | 未来之光有限责任公司 | 发明人 | 畑雅幸;国里竜也 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;刘春成 |
| 主权项 | 一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在生长用基板上形成具有活性层的半导体元件层的工序；将支撑基板接合到所述半导体元件层的工序；和通过去除所述生长用基板，使所述半导体元件层的所述生长用基板侧的面露出而形成光射出面的工序，还包括在通过去除所述生长用基板形成光射出面的工序之后，按照如下方式加工所述半导体元件层的工序：从所述支撑基板侧向着所述光射出面侧以成为前端变细的形状的方式使所述半导体元件层具有相对于所述光射出面倾斜的侧面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||