一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，该方法包括下列步骤：A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余少部分作为长晶用，降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h，时间持续3-4h；C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h，时间持续在4-6h；D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h，时间持续20-24h；E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h，时间持续6-8h。采用本发明，控制过程增加了长晶过渡期，长晶速度由慢至快，再由快至慢，使长晶处于相对均衡状态，能减少长晶中的位错，减少杂质沉积，有效地提高了光电转换效率。据实验数据表明，位错率较原有工艺减少了20%以上。

主权项

一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，其特征在于它包括下列步骤：A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余部分或少部分作为长晶用，然后降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4‑0.8mm/h，时间持续3‑4h；C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8‑1.2mm/h，时间持续在4‑6h；D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0‑1.4mm/h，时间持续20‑24h；E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8‑1.0mm/h，时间持续6‑8h。