| 发明名称 | 一种硅靶材组件的钎焊方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅靶材组件的钎焊方法。本发明硅靶材组件的钎焊方法以铟为钎焊材料，在硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层，之后将涂覆有铟钎料层的硅靶材和背板的焊接面相贴合，进行钎焊，形成靶材组件。经检验，采用本发明制得的硅靶材组件中，硅靶材和背板的结合率达到95%以上，其完全满足磁控溅射过程中，对于硅靶材和背板高强度结合的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103692041A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201210367293.8 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 |
| 分类号 | B23K1/00(2006.01)I | 主分类号 | B23K1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅靶材组件的钎焊方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅靶材和背板；分别在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层；将涂覆有所述铟钎料层的所述硅靶材和背板的焊接面贴合，进行钎焊，将所述硅靶材焊接至所述背板上，形成硅靶材组件；冷却所述硅靶材组件。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||