一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法，先于半导体衬底中定义出多个发光单元区域，且每相邻的两个发光单元区域组成一并联单元区域；于各该并联单元区域交接处的半导体衬底中制作裂片走道，并于各该并联单元区域内的两个发光单元区域交接处的半导体衬底中制作隔离走道；于所述半导体衬底表面沉积由所述裂片走道相互隔开的多个并联单元，且各该并联单元内的两个发光单元由所述隔离走道隔开；最后制作电极、反射镜及进行裂片以完成制作。本发明可以提高芯片的稳定性；将传统的单颗功率型LED芯片改成两颗并联，通过优化芯片电流密度的方式提高芯片的发光效率，并通过电流分流降低芯片的工作电压。

主权项

一种大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中定义出多个发光单元区域，且每相邻的两个发光单元区域组成一并联单元区域；2）于各该并联单元区域交接处的半导体衬底中制作第一深度的裂片走道，并于各该并联单元区域内的两个发光单元区域交接处的半导体衬底中制作第二深度的隔离走道，其中，所述第一深度大于所述第二深度；3）于所述半导体衬底表面沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的由所述裂片走道相互隔开的多个并联单元，且各该并联单元内的两个发光单元由所述隔离走道隔开；4）于各该发光单元制作N电极制备区域；5）于各该发光单元的P型层上表面制作透明导电层，于各该透明导电层表面制作P电极，并于各该N电极制备区域制备N电极；6）从背面减薄所述半导体衬底，并于所述半导体衬底背面制作反射镜；7）依据各该并联单元进行裂片，获得独立的并联单元。