一种耿氏二极管、其制备方法及毫米波振荡器

摘要

本发明公开了一种耿氏二极管、其制备方法及功率合成毫米波振荡器，属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管由下至上依次包括集成热沉、金属电极、渡越层、第二接触层、顶电极和金加厚电极。该制备方法包括：在半导体衬底上依次生长第一接触层、渡越层及第二接触层，在样品表面腐蚀深槽，蒸发电极并电镀热沉，去除衬底，蒸发顶电极，干法刻蚀形成耿氏二极管。该毫米波振荡源将上述制备的一致性很好的耿氏二极管成对封于波导腔内的共振帽下、间隔λg/2前后排开。该方法减小了材料加工易碎性；改善了器件的散热性能；减少了器件性能差异。该毫米波振荡器是多个耿氏二极管耦合后射频输出，成倍增大输出功率。

主权项

一种耿氏二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上依次沉积腐蚀终止层、第二接触层、渡越层、第一接触层，形成第Ⅰ中间产物；对所述第Ⅰ中间产物表面进行腐蚀，直至所述腐蚀终止层，形成深沟，从而使所述第Ⅰ中间产物从所述第一接触层开始直至所述腐蚀终止层的部分被所述深沟隔离，形成第Ⅱ中间产物；在所述深沟和所述第一接触层的剩余部分表面蒸发电极，对所述电极进行退火，使所述电极层实现欧姆接触，之后，在所述沉积电极上镀金，在所述沉积电极上的镀金层即为集成热沉，形成第Ⅲ中间产物；对所述半导体衬底进行腐蚀将所述衬底去除，之后，对所述腐蚀终止层进行腐蚀将所述腐蚀终止层去除，使所述第二接触层露出，形成第Ⅳ中间产物；在所述第二接触层上光刻出顶电极的位置，之后向所述第二接触层上蒸发顶电极，再在所述顶电极上镀金，在所述顶电极上的镀金层即为金加厚电极，形成第Ⅴ中间产物；将所述第Ⅴ中间产物处于顶电极覆盖的范围之外的部分进行腐蚀后去除，产物即为所述耿氏二极管终产物。