Verfahren und System zum Bereitstellen eines magnetischen Tunnelkontakts, wobei auf Spin-Bahn-Kopplung basierendes Schalten verwendet wird, und Speicher, die den magnetischen Tunnelkontakt verwenden

摘要

Ein magnetischer Speicher (100, 100', 100'', 100''', 200, 200', 200'', 200''', 200'''', 250, 300, 300', 300'', 300''', 300'''') wird beschrieben. Der magnetische Speicher (100, 100', 100'', 100''', 200, 200', 200'', 200''', 200'''', 250, 300, 300', 300'', 300''', 300'''') weist magnetische Kontakte (110, 110', 110'', 110''', 210, 210', 210'', 210''', 210'''', 260, 310, 310', 310'', 310''', 310'''') und wenigstens eine aktive Spin-Bahn-Kopplungs(SO)-Schicht (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320'''') auf. Jeder der magnetischen Kontakte (110, 110', 110'', 110''', 210, 210', 210'', 210''', 210'''', 260, 310, 310', 310'', 310''', 310'''') weist eine Datenspeicherschicht (112, 112', 112'', 112''', 212, 212', 212'', 212''', 212'''') auf, welche magnetisch ist. Die aktiven SO-Schicht(en) (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320'''') sind benachbart zu der Datenspeicherschicht (112, 112', 112'', 112''', 212, 212', 212'', 212''', 212'''') des magnetischen Kontakts (110, 110', 110'', 110''', 210, 210', 210'', 210''', 210'''', 260, 310, 310', 310'', 310''', 310''''). Die aktive SO-Schicht(en) (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320'''') ist (sind) konfiguriert, um ein SO-Drehmoment auf die Datenspeicherschicht (112, 112', 112'', 112''', 212, 212', 212'', 212''', 212'''') auszuüben aufgrund eines Stroms, welcher durch die wenigstens eine aktive SO-Schicht (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320'''') hindurchtritt in einer Richtung im Wesentlichen rechtwinklig zu einer Richtung zwischen der wenigstens einen aktiven SO-Schicht (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320'''') und der Datenspeicherschicht (112, 112', 112'', 112''', 212, 212', 212'', 212''', 212'''') eines magnetischen Kontakts (110, 110', 110'', 110''', 210, 210', 210'', 210''', 210'''', 260, 310, 310', 310'', 310''', 310'''') der Mehrzahl von magnetischen Kontakten (110, 110', 110'', 110''', 210, 210', 210'', 210''', 210'''', 260, 310, 310', 310'', 310''', 310'''') am Nächsten zu der wenigstens einen aktiven SO-Schicht (120, 120', 120'', 120''', 220, 220', 220', 220'', 220''', 220'''', 270, 320, 320', 320'', 320''', 320''''). Die Datenspeicherschicht (112, 112', 112'', 112''', 212, 212', 212'', 212'', 212'''') ist konfiguriert, so dass sie unter Verwendung wenigstens des SO-Drehmoments schaltbar ist.