| 发明名称 | 叠层结构体、半导体制造装置用构件及叠层结构体的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种叠层结构体(10)，具备：以氮氧化铝镁为主相的第1结构体(12)，以氮化铝为主相、含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物晶界相的第2结构体(14)，存在于第1结构体(12)和第2结构体(14)之间的反应层(15)，所述反应层(15)是稀土类铝复合氧化物晶界相(18)稀薄的氮化铝层。该叠层结构体(10)的反应层(15)的厚度在150μm以下。此外，叠层结构体(10)的第1结构体(12)与第2结构体(14)的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。叠层结构体(10)在第2结构体(14)烧成时，通过晶界相(18)向第1结构体(12)一侧扩散，由该晶界相(18)变得稀薄的扩散界面(17)形成反应层(15)。 | ||
| 申请公布号 | CN103681793A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310410613.8 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 神藤明日美;井上胜弘;胜田祐司 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种叠层结构体，包括第1结构体、第2结构体以及存在于所述第1结构体和所述第2结构体之间的反应层，所述第1结构体以氮氧化铝镁为主相，所述第2结构体以氮化铝为主相，含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物相，所述反应层是稀土类铝复合氧化物晶粒含量低于所述第2结构体的氮化铝层，所述反应层的厚度在150μm以下，所述第1结构体与所述第2结构体的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。 | ||
| 地址 | 日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||