含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置

摘要

本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。

主权项

一种包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法，包括：形成一栅极结构于该锗为主的沟道层上，该锗为主的沟道层位于一基板上，且该栅极堆叠位于该锗为主的沟道层其相反两侧的一锗为主的源极区与一锗为主的漏极区之间；形成一盖层于该锗为主的源极区与该锗为主的漏极区上，且该盖层包括硅与锗；沉积一金属层于该盖层上；进行一温度步骤，使至少部分该盖层转变为一金属锗硅化物，该金属锗硅化物不溶于一蚀刻品，且该蚀刻品用以溶解该金属层；以该蚀刻品自该基板选择性地移除未消耗的该金属层；以及形成一金属前介电层。