发明名称 半导体集成电路器件
摘要 本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中,为便于安装,通常通过导线键合等,使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而,这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件),其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
申请公布号 CN103681595A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310725962.9 申请日期 2009.12.02
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 鴫原宏美;塚本博;矢岛明
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;张宁
主权项 一种半导体器件,包括:(a)布线部件,具有芯片安装部分和电极端子;(b)半导体芯片,安装在所述布线部件的所述芯片安装部分之上并且包括:(b1)基于铝或基于铜的焊盘电极,设置在半导体芯片的器件表面之上;(b2)绝缘膜,在所述器件表面之上形成并且在所述绝缘膜中形成开口,使得所述焊盘电极的一部分从所述开口暴露;(b3)阻挡金属膜,设置在所述焊盘电极的从所述绝缘膜的所述开口暴露的部分之上,并且所述阻挡金属膜的一部分围绕所述开口与所述绝缘膜的顶表面接触;以及(b4)表面金属膜,设置在所述阻挡金属膜之上并且包括金作为主要成分,所述表面金属膜的膜厚度大于所述阻挡金属膜的膜厚度;(c)键合导线,经由在所述键合导线的端部部分中形成的球部分电连接到所述半导体芯片的所述表面金属膜并且电连接到所述布线部件的所述电极端子,并且包括金或铜作为主要成分,其中所述焊盘电极的平面面积大于所述表面金属膜、所述阻挡金属膜以及所述开口的平面面积中的每一个平面面积,其中所述表面金属膜和所述阻挡金属膜的平面面积中的每一个都相同,并且其中所述表面金属膜的外边缘在平面视图中位于所述焊盘电极的外边缘内。
地址 日本神奈川县