BSI芯片中的多金属膜叠层

摘要

一种器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的黑色参考电路；金属焊盘，位于半导体衬底的正面以及下方；以及第一和第二导电层。第一导电层包括：第一部分，穿过半导体衬底以连接至金属焊盘；以及第二部分，在半导体衬底的背面上形成金属屏蔽层。金属屏蔽层与黑色参考电路对准，并且互连第一部分和第二部分以形成连续区域。第二导电层包括在第一导电层的第一部分上方并与其接触的部分，其中，第一导电层的第一部分和第二导电层的该部分形成第一金属焊盘。介电层位于第一导电层的第二部分上面并与其接触。本发明还提供了BSI芯片中的多金属膜叠层。

主权项

一种器件，包括：半导体衬底；黑色参考电路，位于所述半导体衬底中；金属焊盘，位于所述半导体衬底的正面且位于所述半导体衬底下方；第一导电层，包括：第一部分，穿过所述半导体衬底以连接至所述金属焊盘；和第二部分，在所述半导体衬底的背面上形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层与所述黑色参考电路对准，并且互连所述第一部分和所述第二部分以形成连续区域；第二导电层，包括位于所述第一导电层的第一部分上方并与所述第一导电层的第一部分接触的第一部分，其中，所述第一导电层的第一部分和所述第二导电层的第一部分形成第一金属焊盘；以及介电层，位于所述第一导电层的第二部分上方并与所述第一导电层的第二部分接触。