| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本公开的一个实施例的半导体装置，可以包括：衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片具有半导体层；以及第一间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；其中所述第一间隔物由第一应力类型的材料形成。在另一实施例中，所述半导体装置还可以包括：覆盖所述第一间隔物的至少一部分的绝缘层；以及在所述绝缘层之上的第二间隔物，所述第二间隔物由第二应力类型的第二应力材料形成，所述第二应力类型在性质上与所述第一应力类型相反。 | ||
| 申请公布号 | CN103681846A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210351667.7 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片具有半导体层；以及第一间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；其中所述第一间隔物由第一应力类型的材料形成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||