发明名称 |
一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料及其制备方法,其特征在于:外层是功能性聚合物材料聚吡咯,内层是结晶性半导体材料硫化镉,直径为200nm—300nm。本发明以多孔氧化铝模板(AAO)为辅助条件,通过两步电化学法,调控不同的沉积参数,对同轴材料的结构进行控制,避免了以往制备方法需要两相材料相互匹配的问题,有效的降低了制备工艺的复杂性。 |
申请公布号 |
CN103663364A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310742084.1 |
申请日期 |
2013.12.30 |
申请人 |
北京化工大学;蓝星(北京)化工机械有限公司 |
发明人 |
王峰;王欣;李志林;吉静;刘景军;贾怡;宋夜;覃事永;张良虎;康建忠 |
分类号 |
B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B82Y30/00(2011.01)I |
代理机构 |
北京五月天专利商标代理有限公司 11294 |
代理人 |
涂萧恺 |
主权项 |
一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料,其特征在于:外层是功能性聚合物材料聚吡咯,内层是结晶性半导体材料硫化镉,直径为200nm—300nm。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |