| 发明名称 | 围铸的断路器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造断路器的方法，其特征在于，真空灭弧室（1）在周面上利用由软的浇铸材料构成的保护层（7）包裹，该保护层借助于消失模（5）制造，从而真空灭弧室（1）、用于真空灭弧室的软的保护层（7）以及消失模（5）在化学交联之后构成一个单元，并且该单元与电的连接导体（2）和与接触配件在一个进一步的制造步骤中利用环氧树脂（4）在金属模具中浇铸成断路器。 | ||
| 申请公布号 | CN103681097A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310400525.X | 申请日期 | 2013.09.06 |
| 申请人 | 库沃格有限责任两合公司 | 发明人 | T·普费尔青格尔 |
| 分类号 | H01H33/664(2006.01)I;H01H11/00(2006.01)I | 主分类号 | H01H33/664(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 俞海舟 |
| 主权项 | 一种用于制造断路器的方法，其特征在于，真空灭弧室（1）在周面上利用由软的浇铸材料构成的保护层（7）包裹，该保护层借助于消失模（5）制造，从而真空灭弧室（1）、用于真空灭弧室的软的保护层（7）以及消失模（5）在化学交联之后构成一个单元，并且该单元与电的连接导体（2）和与接触配件在一个进一步的制造步骤中利用环氧树脂（4）在金属模具中浇铸成断路器。 | ||
| 地址 | 奥地利豪斯鲁克瑞斯诺伊马克特 | ||