半导体器件

摘要

本发明提供半导体器件，具备多个第1平板，该第1平板包含吸收高频电磁波的材料。第1平板之中的任一个配置在第1连接布线及第2连接布线的上方。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：绝缘基板；第1电极，设在上述绝缘基板上；第2电极，设在上述绝缘基板上；第3电极，设在上述绝缘基板上；第1开关元件，设在上述第1电极上，一个端子电连接到上述第1电极；第1连接布线，将上述第1开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极；第2开关元件，设在上述第2电极上，一个端子电连接到上述第2电极；第2连接布线，以上述第2开关元件与上述第1开关元件并联连接的方式，将上述第2开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极，；第1栅极布线，与上述第1开关元件的栅极电连接；第2栅极布线，与上述第2开关元件的栅极电连接；第3连接布线，与上述第1电极及上述第2电极电连接；第4连接布线，与上述第3电极电连接；及多个第1平板，包含吸收高频电磁波的材料；上述第1平板之中的任一个配置在上述第1连接布线及上述第2连接布线的上方。