| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有形成半导体元件的元件区域以及包围元件区域的终端区域。半导体装置具有半导体基板、沟道、绝缘层以及场板导电层。沟道在终端区域中以包围元件区域的方式形成于半导体基板。场板导电层隔着绝缘层形成于沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN103681797A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310073821.3 | 申请日期 | 2013.03.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泉泽优;小野昇太郎;大田浩史;山下浩明 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有形成半导体元件的元件区域以及包围所述元件区域的终端区域，该半导体装置的特征在于，具备：半导体基板；沟道，在所述终端区域中以包围所述元件区域的方式形成于所述半导体基板；以及场板导电层，隔着绝缘层形成于所述沟道，其中，所述绝缘层由氧化硅构成，所述场板导电层由多晶硅、金属材料中的任一种构成，所述沟道的宽度是0.4μm～2.0μm，所述沟道的深度是2μm～6μm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||