| 发明名称 | 半导体堆叠 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体堆叠（1），用于进行至少一个逻辑操作，包括布置成堆叠配置的相邻层(2、2’)，每层(2、2’)包括至少一个相变存储器单元，其中，在加热器电端子(T2、T9)和至少两个另外的加热器电端子(T5、T6)之间提供相变材料（3），在加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）可在至少两个可逆地转换的相态，非结晶相态(3’)和结晶相态(3”)，之一中操作，其中，在使用时所述半导体堆叠可被配置以通过每层(2、2’)中的每个加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）的相态(3”、3’)的电阻(R2、R8、R3、R9)来存储信息，且基于在相邻层(2、2’)中存储的信息来进行所述逻辑操作。 | ||
| 申请公布号 | CN103680606A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310375524.4 | 申请日期 | 2013.08.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D.克雷布斯;A.塞巴斯蒂安 |
| 分类号 | G11C13/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种半导体堆叠（1），用于进行至少一个逻辑操作，包括布置成堆叠配置的相邻层(2、2’)，其中每层(2、2’)包括至少一个相变存储器单元，其中，在加热器电端子(T2、T9)和至少两个另外的加热器电端子(T5、T6)之间提供相变材料（3），在加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）可在至少两个可逆地转换的相态，非结晶相态(3’)和结晶相态(3”)，之一中操作，其中，在使用时所述半导体堆叠可被配置以通过每层(2、2’)中的每个加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）的相态(3”、3’)的电阻(R2、R8、R3、R9)来存储信息，且基于在相邻层(2、2’)中存储的信息来进行所述逻辑操作。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||