| 发明名称 | 一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置。所述制备方法包括在衬底基板上形成下层电极；依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；对衬底基板进行氧化处理；在衬底基板上设置钝化层；在钝化层上形成上层电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103681515A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310723714.0 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘晓娣;王刚 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、在衬底基板上形成下层电极；S2、依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；S3、通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；S4、通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；S5、去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；S6、去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；形成具有P型有源层的P型薄膜晶体管；S7、对衬底基板进行氧化处理；形成具有N型有源层的N型薄膜晶体管；S8、在衬底基板上设置钝化层；S9、在钝化层上形成上层电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||