用于使用与导电通孔的无掩模背侧对准制作半导体组件的方法

摘要

本发明涉及一种用于制作半导体组件(90)的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有电路侧(54)、背侧(56)及若干导电通孔(58)的半导体衬底(52)；从所述背侧(56)移除所述衬底(52)的若干部分以暴露所述导电通孔(58)的端子部分(76)；在所述背侧(56)上沉积聚合物层(78)以囊封所述端子部分(76)；及接着对所述聚合物层(78)及所述端子部分(76)的末端进行平面化以形成嵌入于所述聚合物层(78)中的若干自对准导体。还可形成与所述导电通孔(58)电接触的额外背侧元件，例如端子触点(86)及背侧再分布导体(88)。半导体组件(90)包括所述半导体衬底(52)、所述导电通孔(58)及嵌入于所述聚合物层(78)中的所述背侧导体。堆叠式半导体组件(96)包括具有彼此电连通的经对准导电通孔(58)的多个组件(90-1、90-2、90-3)。

主权项

一种用于制作半导体组件的方法，其包含：提供具有电路侧、背侧及多个导电通孔的半导体衬底，所述多个导电通孔包含从所述电路侧延伸到所述背侧的通孔、给所述通孔加衬的电绝缘层及所述通孔中的金属；在所述电路侧上形成与所述导电通孔电接触的多个电路侧导体；在所述电路侧上形成具有与所述导电通孔对准的开口的外部电介质层；从所述背侧移除所述半导体衬底的若干部分以暴露所述导电通孔的端子部分及表面，所述端子部分及表面从所述背侧延伸而具有高度X；在所述背侧上沉积聚合物层以囊封所述端子部分及所述端子部分的所述表面，其中所述聚合物层具有等于或大于所述高度X的厚度；对所述聚合物层、所述端子部分及所述端子部分的所述表面进行平面化以形成包含嵌入于所述聚合物层中的所述金属的自对准导体、经平面化聚合物表面及所述导电通孔上的经平面化接触器，其中所述平面化步骤经控制以终止于所述端子部分的所述表面处；及在所述经平面化接触器上形成多个端子触点。