| 发明名称 | 形成低电阻线的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供形成低电阻线的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法。形成线的方法包括：在基底层上沉积金属层；通过去除所述金属层的一部分来暴露所述基底层的一部分；通过采用所述金属层作为掩模来去除所述基底层的暴露部分，在所述基底层中形成凹槽；在所述基底层的凹槽中形成籽晶层；和通过化学镀方式或电镀方式，在所述基底层的凹槽中形成的籽晶层上镀上镀层材料，以形成由所述籽晶层和镀层构成的线。 | ||
| 申请公布号 | CN103681284A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210553758.9 | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 权五楠;金海烈 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种形成线的方法，该方法包括：在基底层上沉积金属层；通过去除所述金属层的一部分来暴露所述基底层的一部分；通过采用所述金属层作为掩模来去除所述基底层的暴露部分，在所述基底层中形成凹槽；在所述基底层的凹槽中形成籽晶层；和通过化学镀方式或电镀方式，在所述基底层的凹槽中形成的籽晶层上镀上镀层材料，以形成由所述籽晶层和镀层构成的线。。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||