| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构两侧的鳍片中形成第一源漏凹槽；在鳍片中第一源漏凹槽下方形成第二源漏凹槽，以及在第二源漏凹槽侧面形成第三源漏凹槽；在第二源漏凹槽和第三源漏凹槽中形成绝缘隔离层；在第一源漏凹槽中形成源漏区，源漏区之间的鳍片构成沟道区；在器件上形成层间介质层；去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过横向刻蚀源漏区形成凹槽并且沉积隔离氧化物，对沟道区形成了立体式隔离，有效提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681329A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210332933.1 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;秦长亮;马小龙;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构两侧的鳍片中形成第一源漏凹槽；在鳍片中第一源漏凹槽下方形成第二源漏凹槽，以及在第二源漏凹槽侧面形成第三源漏凹槽；在第二源漏凹槽和第三源漏凹槽中形成绝缘隔离层；在第一源漏凹槽中形成源漏区，源漏区之间的鳍片构成沟道区；在器件上形成层间介质层；去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||