| 发明名称 | 可变电阻存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其操作方法，所述操作方法包括以下步骤：预读取步骤，所述预读取步骤包括以下步骤：利用第一参考电压读取第一参考单元，利用第二参考电压读取第二参考单元，以及基于第一参考电压和第二参考电压来设定第三参考电压；以及主读取步骤，所述主读取步骤利用第三参考电压来读取选中的存储器单元。 | ||
| 申请公布号 | CN103680616A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310069115.1 | 申请日期 | 2013.03.05 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 尹淳赫 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种可变电阻存储器件的操作方法，包括以下步骤：预读取步骤，所述预读取步骤包括以下步骤：利用第一参考电压读取第一参考单元；利用第二参考电压读取第二参考单元；以及基于所述第一参考电压和所述第二参考电压来设定第三参考电压；以及主读取步骤，所述主读取步骤利用所述第三参考电压来读取选中的存储器单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||