发明名称 |
发光二极管、发光二极管发光效率和强度的调制方法 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管发光效率和强度的调制方法,通过在N型区和/或P型区的材料具有压电性的发光二极管上施加应力使发光二极管发生形变,形变引起的压电场对发光二极管的发光效率和强度进行调制。相应的,本发明还提供一种发光二极管。本发明通过在PN结发光二极管中引入合适的应力,对发光二极管能带进行调制,增加二极管中用于电光转换的电流,同时在PN结附近引入能带弯曲。弯曲形成的电子和空穴势阱可以将载流子吸引并束缚到PN结附近,局域的电子和空穴浓度的增加和束缚会使电子和空穴复合效率增加,从而增加发光二极管的内量子效率。 |
申请公布号 |
CN103681979A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210356845.5 |
申请日期 |
2012.09.21 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
王中林;杨青 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
肖冰滨;南毅宁 |
主权项 |
一种发光二极管发光效率和强度的调制方法,其特征在于,所述发光二极管的N型区和/或P型区的材料具有压电性,在所述发光二极管上施加应力使发光二极管发生形变,所述形变引起的压电场对发光二极管的发光效率和强度进行调制。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |