功率用半导体元件

摘要

本发明提供具备第1～第4半导体层及第1～第5电极的功率用半导体元件。第1电极具有第一面和第二面。第1半导体层设在第一面侧。第2半导体层设在第1半导体层之上，与第1半导体层相比杂质浓度高。第3半导体层设在第2半导体层之上。第4半导体层设在第3半导体层之上。第2电极与第4半导体层电连接。第3电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸。第4电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿层叠方向延伸，与第3电极并列。第5电极隔着绝缘膜而设在第3、第4电极之间，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸，与第2电极电连接。

主权项

一种功率用半导体元件，具备：第1电极，具有第一面和第二面；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极的上述第一面侧；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1半导体层之上，上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度；第2导电型的第3半导体层，设在上述第2半导体层之上；第1导电型的第4半导体层，设在上述第3半导体层之上；第2电极，与上述第4半导体层电连接；第3电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第3电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述第1半导体层与上述第2半导体层的层叠方向延伸；第4电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第4电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸，与上述第3电极并列；以及第5电极，隔着绝缘膜设在上述第3电极与上述第4电极之间，上述第5电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸，与上述第2电极电连接。