存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路

摘要

本发明公开了一种存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路，该操作方法包括以具有一第一字线感测电压的一存储器感测操作作多重测量，该多重测量包含一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或者(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成。该多重测量包含一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在一特定阈值电压范围内的相对位置。

主权项

一种存储器操作方法，包括：以一具有一第一字线感测电压的存储器感测操作对一存储器单元作多次测量，该多次测量包含：(i)一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，以及(ii)一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在属于该第一组或第二组的一特定阈值电压范围内的相对位置。