| 发明名称 | 晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。 | ||
| 申请公布号 | CN103682101A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310359072.0 | 申请日期 | 2013.08.16 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 野元章裕;胜原真央;栗原研一 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 梁兴龙;陈桂香 |
| 主权项 | 一种制造晶体管的方法，包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||