| 发明名称 | 低温共烧介质陶瓷制备方法及其材料和烧结助剂 | ||
| 摘要 | 一种低温共烧介质陶瓷材料用烧结助剂，按质量百分比，包括：40%～55%的二氧化硅、5%～16%的氧化硼、12%～17%的氧化锌、5%～15%的氧化铝、3%～10%氧化锂、0～5%的氧化铜、0～5%的四氧化三钴及3%～8%的通式为R2O3的氧化物；其中，R为镧、钕、钐及镝中的至少一种。上述低温共烧介质陶瓷材料用烧结助剂能够使低温共烧介质陶瓷材料在830℃～950℃的温度下进行烧结，并有效地提高低温共烧介质陶瓷的介电性能。此外，还要提供一种低温共烧介质陶瓷材料及低温共烧介质陶瓷的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102875159B | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210356434.6 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 发明人 | 张火光;肖泽棉;唐浩;宋永生;吴海斌;莫方策;张彩云;叶向红 |
| 分类号 | C04B35/63(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/63(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种低温共烧介质陶瓷材料用烧结助剂，其特征在于，按质量百分比，包括：40%～55%的二氧化硅、5%～16%的氧化硼、12%～17%的氧化锌、5%～15%的氧化铝、3%～10%氧化锂、0～5%的氧化铜、0～5%的四氧化三钴及3%～8%的通式为R2O3的氧化物；其中，R为镧、钕、钐及镝中的至少一种。 | ||
| 地址 | 526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 | ||