发明名称 | 一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备方法与应用。本发明含蒽结构窄带隙共轭聚合物,结构如说明书附图中图1所示所示。其中n为大于等于4的整数。目前,具有给受体交替结构主链的共轭聚合物是当前研究的重点,含蒽结构窄带隙共轭聚合物具有非常好的平面性,有利于聚合物链之间的π-π有序堆叠,聚合物链的有序堆叠有利于提高聚合物载流子迁移率。含蒽结构的共轭聚合物在有机场效应管和有机发光二级管中的应用已经有了一些研究。但是,在光伏材料的应用中,含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料目前报道的还比较少见。 | ||
申请公布号 | CN103665332A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
申请号 | CN201210322620.8 | 申请日期 | 2012.09.04 |
申请人 | 北京师范大学 | 发明人 | 李红;龚雪;薄志山 |
分类号 | C08G61/12(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料。 | ||
地址 | 100875 北京市新街口外大街19号北京师范大学化学学院 |