半导体装置

摘要

一种半导体装置，IGBT区域具有：第一导电型的集电极层，设置在第一电极的第一面侧；第二导电型的漂移层，设置在集电极层的与第一电极侧相反的一侧；第一导电型的体层，设置在漂移层的与第一电极侧相反的一侧；以及第二电极，经由第一绝缘膜，在第一电极和集电极层的层叠方向上延伸地设置于漂移层及体层。二极管区域具有：第二导电型的阴极层，设置在第一电极的第一面侧；漂移层，设置在阴极层的与第一电极侧相反的一侧；以及导电层，经由第二绝缘膜，在层叠方向上延伸地设置于漂移层及阳极层。第二电极和导电层离开规定距离。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一电极；IGBT区域，具有：第一导电型的集电极层，设置在上述第一电极的第一面侧；第二导电型的漂移层，设置在上述集电极层的与第一电极侧相反的一侧；第一导电型的体层，设置在上述漂移层的与第一电极侧相反的一侧；第二电极，经由第一绝缘膜，在上述第一电极与上述集电极层的层叠方向上延伸地设置于上述漂移层及上述体层；以及第二导电型的发射极层，与上述第一绝缘膜接触，且设置在上述体层的与第一电极侧相反的一侧；以及二极管区域，具有：第二导电型的阴极层，设置在上述第一电极的第一面侧；上述漂移层，设置在上述阴极层的与第一电极侧相反的一侧；第一导电型的阳极层，设置在上述漂移层的与第一电极侧相反的一侧；以及导电层，经由第二绝缘膜，在层叠方向上延伸地设置于上述漂移层及上述阳极层；上述第二电极及上述导电层在与上述第一电极的第一面平行的第一方向上延伸，上述第二电极和上述导电层在上述第一方向上离开规定距离。