| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙，其特征在于：源漏区和栅极侧墙上具有多层结构的应力衬层，至少包括第一衬层、第二衬层、第三衬层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过在两个衬层中插入高应力衬层，有效提高了器件的载流子迁移率，并且防止了应力材料中其它元素离子对于器件其他部件造成不良影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103681844A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210345742.9 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙，其特征在于：源漏区和栅极侧墙上具有多层结构的应力衬层，至少包括第一衬层、第二衬层、第三衬层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||