半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅结构，在所述衬底中所述栅结构侧方形成有Sigma形凹陷；所述Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，所述种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对所述Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成所述衬底表面下的凹陷；在所述衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长以生成掺杂硼的硅锗再生层，其中，所述硅锗再生层中硼的含量大于所述种子硅锗层中硼的含量。