一种鳍片场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的绝缘层，该基底呈阶梯形状，具有高区和低区；在所述绝缘层上形成硬掩膜层并平坦化；蚀刻所述硬掩膜层和所述绝缘层，在所述基底的高区和低区分别形成至少一个沟槽，以露出所述半导体衬底；采用半导体材料填充所述沟槽并平坦化，以形成鳍片图案；蚀刻去除所述硬掩膜层，以形成高度不同的鳍片。本发明所述鳍片的高度、高度不同鳍片的高度差以及鳍片高宽比更加容易控制，巧妙的解决的现有技术中存在鳍片高度不易控制的问题，提高了半导体器件的良率。

主权项

一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的绝缘层，该基底呈阶梯形状，具有高区和低区；在所述绝缘层上形成硬掩膜层并平坦化；蚀刻所述硬掩膜层和所述绝缘层，在所述基底的高区和低区分别形成至少一个沟槽，以露出所述半导体衬底；采用半导体材料填充所述沟槽并平坦化，以形成鳍片图案；蚀刻去除所述硬掩膜层，以形成高度不同的鳍片。