| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, r-면 사파이어 기판 상에 a-면 또는 m-면 질화물계 반도체를 포함하는 제 1반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1반도체층 상에 다공성 마스크층을 형성하는 단계; 상기 다공성 마스크층 상에 공기 간극을 가지는 제 2반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 2반도체층 상에, 제 1전도성 반도체층, 활성층 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 형성하는 단계; 상기 반도체 구조 상에 제 1전극을 형성하는 단계; 상기 제 1전극 상에 지지 기판을 위치시키는 단계; 상기 사파이어 기판을 분리시키는 단계; 상기 사파이어 기판이 분리되어 드러나는 상기 제 1반도체층과 상기 다공성 마스크층을 제거하여 상기 공기 간극 및 제 2반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 제 2반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.</p> |
