MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MAKING THE SAME

摘要

자기저항성 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 셀은 자기 터널 접합(MTJ), MTJ 상에 배치된 상부 전극, MTJ 아래에 배치된 하부 전극과, MTJ의 한쪽 측면에 배치된 유도 라인을 포함한다. 유도 라인은 MTJ에서 수직의 자기장을 유도하도록 구성된다.