溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法,申请号TW102114229-传众专利搜索

首页产品黄页商标征信

会员服务注册登录

法人/股东/高管

发明名称	溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法
摘要
申请公布号	TWI431142	申请公布日期	2014.03.21
申请号	TW102114229	申请日期	2012.06.07
申请人	半导体能源研究所股份有限公司日本	发明人	山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志
分类号	C23C14/34;C23C14/08	主分类号	C23C14/34
代理机构		代理人	林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址	日本

您可能感兴趣的专利

Amorphous ribbon take-up roll switching method and switching system

Methods of displacing movable partitions including a lateral restraint

Fallopian tube occlusion device

Oil supply system for internal combustion engine

Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Trolley braking system

Automated grill

Gasket, cover with gasket, and pneumatic cylinder with cover and gasket

Electrical Component, Manufacturing System and Method

Handgrip for handlebar

Hydraulic control system for a dual clutch transmission

Mesh vent pants

Petunia plant named Duesurpilem

FLEXIBEL KOELELEMENT.

WERKWIJZE VOOR HET BEKLEDEN VAN EEN VERBINDING TUSSEN TWEE BUIZEN.