| 摘要 |
<p>Le substrat (3) comporte successivement une première couche semiconductrice (5) ayant une première énergie de bande interdite, une couche semiconductrice tampon (6), une deuxième couche semiconductrice (7) ayant une deuxième énergie de bande interdite différente de la première énergie de bande interdite. Deux photodétecteurs (1, 2) sensibles à deux couleurs différentes sont formés respectivement au moyen de la première et de la deuxième couches semiconductrices (5, 7). La première couche semiconductrice (5) comporte deux faces principales opposées. La première face principale est recouverte par la deuxième couche semiconductrice (7). La deuxième face principale est découverte ou recouverte par un film de passivation (4) ayant une épaisseur inférieure ou égale à 3µm.</p> |
